有些晶圓的矽片背面研磨產生的缺陷包括：研磨損傷層、晶體缺陷（Crystal Defect）和微裂紋（Micro-crack）； 旋轉濕法刻蝕工藝能有效降低晶圓背面的機械應力，減少因研磨加工導致層上的表面損傷（sub-surface damage layer），從而改善晶圓的結構完整性。
另外，在背面研磨後需要背面金屬沉積以增加附著力的情況下，可以在蝕刻溶液中添加特殊試劑(spin-etching)，從而在晶圓表面產生微粗糙度，這過程增加了金屬沉積的附著力。
包裝形式：200L桶裝
晶背蝕刻液 (Spin-D, Spin-E, Spin-BT…)
晶背蝕刻
•隨著半導體元件走向更高精密度及「輕薄短小」之趨勢，晶背蝕刻(Backside Etching)已經逐漸取代傳統機械式晶背研磨(Grinding)製程，除了能降低矽晶片應力(Stress)減少缺陷(Defect)外，並能有效清除晶背不純物，避免汙染到正面之製程。
•由於晶背表層常包含了各類材料如二氧化矽、多晶矽、有機物、金屬、氮化矽、多晶矽等，因此濕式晶背蝕刻液也含蓋了多種無機酸類之組成，包括H3PO4、HNO3、H2SO4及HF等，如此才能有效去除複雜之晶背表層結構。
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