在半導體製造中，針對矽化合物的高選擇性蝕刻是至關重要。由於對化學反應機制的理解不清，要從傳統含危險化學物質蝕刻劑中尋找一個替代品是極具挑戰性的。在我們過 去的許多經驗中，我們清楚地由原子層面上敘述了磷酸的蝕刻機制及其對氮化矽 (Si3N4) 相對於二氧化矽 (SiO2) 表面的出色選擇性。結合密度涵數理論計算的探討從頭算熱力學和動力學形式表明，高濃度和高溫下正磷酸 (H3PO4) 的脫水縮合形式——焦磷酸 (H4P2O7)，甚至比幾十年來一直被認為是主要物質的 H3PO4 對 Si3N4 更具反應性。我們證明，優異的蝕刻選擇性源於熱力學控制的反應機制，其中焦磷酸 H4P2O7 的反應性比 H3PO4 的放熱性更強。值得注意的是，我們發現靠近 H4P2O7 的水分子會通過兩種方式輔助連續性的蝕刻過程：通過結構水分子的質子轉移進行催化反應，以及水解 Si3N4 表面上的二磷酸基團。我們的以往的經驗讓我們快速準確的篩選以及高效安全蝕刻劑的設計，這有助於製造需要選擇性蝕刻數百個原子層交替堆疊的 Si3N4 和 SiO2 的奈米級半導體元件。

包裝形式：200L桶裝