鋁層蝕刻
鋁常在半導體製程中作為導電層材料，濕式鋁層蝕刻可使用下列無機酸鹼來進行，包括：
(1)HCl
(2)NaOH或KOH
(3)H3PO4 / HNO3
(4)H3PO4 / HNO3 / CH3COOH
因第(4)項之混和溶液之蝕刻效應最為穩定，目前被廣泛運用在半導體製程中；主要之製程原理是利用HNO3與Al層之化學反應，再由H3PO4將Al2O3溶解去除

2Al + 6HNO₃ → Al₂O₃ + 3H₂O + 6NO₂
Al₂O₃ + 2H₃PO₄ → 2AlPO₄ + 3H₂O

一般之蝕刻率約控制在3000 Å/min

包裝形式：200L桶裝