緩衝蝕刻液被廣泛用於製造過程中的多個階段，例如：
- 介電層的蝕刻：SiO₂作為介電層，BOE可以精確地移除這些層，確保電路的完整性。
- 表面清潔：在製程中，可以用於清潔和去除表面污染物，保持晶圓的純淨度。
- 僑力可客製化不同配比的緩衝蝕刻液
- 可生產ppt等級的緩衝蝕刻液
- 包裝形式：槽車、200L桶裝、20L Pail、加侖瓶
緩衝蝕刻液（Buffer Oxide Etchant, BOE）
緩衝蝕刻液（Buffered Etching Solution）主要用於精確控制蝕刻速率和提高蝕刻均勻性，主要用於蝕刻二氧化矽（SiO₂）層，這是半導體製程中的關鍵步驟之一。
化學反應式如下：
SiO₂ + 4HF + 2NH₄F → (NH₄)₂SiF₆ + 2H₂O
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